[发明专利]传感器设备及其方法无效

专利信息
申请号: 201010586921.2 申请日: 2010-12-14
公开(公告)号: CN102192925A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: B·A·琼斯;P·伦尼;R·帕兰;P·D·史密斯 申请(专利权)人: 基德科技公司
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00;H01L49/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 吕彩霞;林毅斌
地址: 美国北卡*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 传感器设备包括具有气敏表面的金属氧化物半导体(“MOS”)传感器,该气敏表面通常具有对于第一种可燃气体的第一灵敏度和对于第二种不同的可燃气体的第二灵敏度。在该气敏表面上布置有选择性灵敏度增进层,来提高该第一灵敏度,并且该第二灵敏度基本保持不变。
搜索关键词: 传感器 设备 及其 方法
【主权项】:
一种传感器设备,其包括:金属氧化物半导体(“MOS”)传感器,其包括气敏表面,所述气敏表面通常具有对于第一种可燃气体的第一灵敏度和对于第二种不同的可燃气体的第二灵敏度;和布置在所述气敏表面上的选择性灵敏度增进层,以使所述第一灵敏度提高,而所述第二灵敏度基本保持不变。
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