[发明专利]半导体发光芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 201010586970.6 | 申请日： | 2010-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102569623A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 曾坚信 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种半导体发光芯片，包括基板及与基板连接的磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层，基板与磊晶层之间还具有导热层，该导热层包括竖向生长的碳纳米管。该半导体发光芯片具有较佳的散热效率。本发明还提供一种半导体发光芯片的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光芯片，包括基板及与基板连接的磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层，其特征在于：基板与磊晶层之间还具有导热层，该导热层包括竖向生长的碳纳米管。
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