[发明专利]一种交流发光二极管无效
申请号: | 201010587006.5 | 申请日: | 2010-12-14 |
公开(公告)号: | CN102110705A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 何建波;易贤;杨新民;靳彩霞;董志江 | 申请(专利权)人: | 武汉迪源光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/44 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 杨立 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种将AC电流经过转换,形成DC电流输出,并且可提升整片LED的发光效率的交流发光二极管,本发明所述一种交流发光二极管,包括第一微晶粒、第二微晶粒、第三微晶粒、第四微晶粒,所述微晶粒包括衬底层、反射层、透明导电层、第一半导体层、有源层、第二半导体层和钝化层,所述钝化层设在微晶粒表面和侧面,所述衬底层正面设有第一半导体层,所述衬底层底面设有反射层,所述透明导电层与第二半导体层连接。 | ||
搜索关键词: | 一种 交流 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种交流发光二极管,包括第一微晶粒、第二微晶粒、第三微晶粒、第四微晶粒,所述微晶粒包括衬底层、反射层、透明导电层、第一半导体层、有源层、第二半导体层和钝化层,所述钝化层设在微晶粒表面和侧面,所述衬底层正面设有第一半导体层,所述衬底层底面设有反射层,所述透明导电层与第二半导体层连接,其特征在于,所述第一微晶粒的第一半导体区与第二微晶粒的第一半导体区电连接于节点A,第二微晶粒的第二半导体区与第四微晶粒的第一半导体区电连接于节点B,第四微晶粒的第二半导体区与第三微晶粒的第二半导体区电连接于节点C,第三微晶粒的第一半导体区与第一微晶粒的第二半导体区电连接于节点D,所述节点B和节点D为交流电输入端,所述节点A与节点C电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的