[发明专利]连续介质垂直磁记录盘及其制造方法有效
| 申请号： | 201010587476.1 | 申请日： | 2010-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102103867A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·R·奥尔布雷科特;迈克尔·K·格罗比斯;欧内斯托·E·马里尼罗;哈尔·J·罗森;里卡多·鲁伊斯 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/667;G11B5/82 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及连续介质垂直磁记录盘及其制造方法。具有含氧化物的颗粒钴合金记录层RL的连续介质垂直磁记录盘具有形成在RL之下的有序成核层ONL，RL具有最小晶粒尺寸离散度。ONL具有以基本重复图案布置的有序成核位点。成核位点基本被与成核位点不同的材料的非成核区域围绕。后续沉积的RL的钴合金晶粒生长在成核位点上，RL的氧化物基本偏析在非成核区域上。有序成核位点可由含Ru材料形成，非成核区域可由氧化物形成。ONL通过纳米压印光刻形成，优选地通过母模形成，母模由使用用于产生周期性纳米级特征的自组装嵌段共聚物的方法制造。 | ||
| 搜索关键词： | 连续介质 垂直 记录 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种连续介质垂直磁记录盘，包括：衬底；衬层，在所述衬底上；垂直磁记录层，在所述衬层上并包括Si、Ta、Ti和Nb中的一种或更多种的一种或更多种氧化物和颗粒铁磁Co合金的连续层；以及有序成核层，在所述衬层和所述垂直磁记录层之间，所述有序成核层包括用于所述垂直磁记录层的所述Co合金的成核位点的有序阵列。
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