[发明专利]一种钛酸钡/聚偏氟乙烯复合介电薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201010588330.9 | 申请日： | 2010-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102558718A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 崔建东;毛昌辉;杨剑;刘坤 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K3/24;C08J9/28;C08J5/18 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种钛酸钡/聚偏氟乙烯复合介电薄膜及其制备方法，该薄膜由钛酸钡和聚偏氟乙烯构成，钛酸钡与聚偏氟乙烯的质量比为1.5～5.0∶1，薄膜的厚度小于50μm。在100Hz～1MHz的频率范围内，该薄膜的相对介电常数可达70以上，介电损耗低于5×10-2。本发明采用BaTiO3陶瓷与PVDF聚合物相复合，来制备介电常数较高、介电损耗较低的介电薄膜材料。采用固相反应法或化学共沉淀法制备钛酸钡陶瓷粉体，然后再采用高温干燥凝胶法或溶剂致相分离凝胶法制备得到陶瓷颗粒分布均匀、厚度可控、具有较高的介电常数和较低的介电损耗的钛酸钡/聚偏氟乙烯复合介电薄膜。该介电薄膜特别适用于电容器、铁电存储器等电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钛酸钡 聚偏氟 乙烯 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钛酸钡/聚偏氟乙烯复合介电薄膜，其特征在于，该薄膜由钛酸钡和聚偏氟乙烯构成，钛酸钡与聚偏氟乙烯的质量比为1.5～5.0∶1，薄膜的厚度小于50μm。
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