[发明专利]带栅极的MIS及MIM器件无效
| 申请号： | 201010588482.9 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102097477A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于10纳米以下的半导体器件技术领域，具体涉及一种带栅极的金属-绝缘体-半导体（MIS）及金属-绝缘体-金属（MIM）器件。本发明通过在MIM或者MIS器件的侧壁上施加栅极电压来调控电场，以此调节MIM或者MIS结构中的FN隧穿电流，进而控制器件的关断与开启。本发明所提出的带栅极的MIM及MIS器件的沟道可以做的非常短，而且能够达到很低的漏电流，且功耗低，非常适用于集成电路的后端工艺及各种芯片的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 mis mim 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：一个半导体衬底；位于所述半导体衬底上的源极；位于所述半导体衬底上的漏极；位于所述源极与所述漏极之间的第一绝缘层；所述的源极、漏极与所述的绝缘层构成一个MIM结构或者MIS结构；其特征在于，还包括：位于所述半导体衬底上所述MIM或者MIS结构一侧的栅极；位于所述MIM或者MIS结构与所述栅极之间的第二绝缘层；这里，MIM结构即为金属‑绝缘体‑金属结构，MIS结构即为金属‑绝缘体‑半导体结构。
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