[发明专利]掺杂ⅡA族稀土氧化物发光材料及其熔体法生长方法无效
申请号: | 201010588504.1 | 申请日: | 2010-12-15 |
公开(公告)号: | CN102127437A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 张庆礼;殷绍唐;孙敦陆;宁凯杰;刘文鹏;罗建乔 | 申请(专利权)人: | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 |
主分类号: | C09K11/78 | 分类号: | C09K11/78;C30B29/16;C30B11/00;C30B15/00 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 230031 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了稀土或Bi、Cr、Ti掺杂的IIA族稀土氧化物及其熔体法晶体生长方法,化化合物的分子式表示为(D2xD′2y)ARE2(1-x-y-z)RE′2zO4、(D4xD′4y)A3RE4(1-x-y-z)RE′4zO9、(D2xD′2y)A4RE2(1-x-y-z)RE′2zO7(D和D′代表稀土Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Ho、Tm、Yb和Bi、Ti、Cr元素,A代表IIA族元素Mg、Ca、Sr、Ba,RE、RE′代表稀土元素Sc、Y、La、Gd、Lu,RE≠RE′,0≤x≤0.5,0≤y≤0.5,0≤z≤0.5,且x+y+z<1)。按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后,成为晶体生长的起始原料;生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后,成为熔体法生长的初始熔体,然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长;(D2xD′2y)ARE2(1-x-y-z)RE′2zO4、(D4xD′4y)A3RE4(1-x-y-z)RE′4zO9、(D2xD′2y)A4RE2(1-x-y-z)RE′2zO7可用作激光工作物质和高能射线、高能粒子等的探测材料。 | ||
搜索关键词: | 掺杂 稀土 氧化物 发光 材料 及其 熔体法 生长 方法 | ||
【主权项】:
稀土或Bi、Cr、Ti掺杂的IIA族稀土氧化物发光材料,其特征在于:化合物分子式可表示为(D2xD′2y)ARE2(1‑x‑y‑z)RE′2zO4、(D4xD′4y)A3RE4(1‑x‑y‑z)RE′4zO9、(D2xD′2y)A4RE2(1‑x‑y‑z)RE′2zO7,其中:D和D′代表稀土Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Ho、Tm、Yb和Bi、Ti、Cr元素,A代表IIA族元素Be、Mg、Ca、Sr、Ba,RE、RE′代表稀土元素Sc、Y、La、Gd、Lu,RE≠RE′,x、y和z的取值范围为:0≤x≤0.5,0≤y≤0.5,0≤z≤0.5,且x+y+z<1。
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