[发明专利]AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法

摘要

本发明涉及一种algan/gan hemt小信号模型的参数提取方法，属于集成电路技术领域。所述参数提取方法是在传统的参数提取方法基础上进行的改进，采取开路去嵌图形进行外围寄生参数的提取，引入栅端肖特基电阻提取寄生电阻和电感，引入漏端延时因子提取内部本征参数，保证所提取的参数都是正值，并且都有物理意义，从而改善了小信号参数的s参数中s₁₁和s₂₂，在参数提取的过程中和两项经常容易出现负值，和的引入基本上消除它们出现负值的可能性，这些改进使得提取的参数精确度有了很大提高。

主权项

一种AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法，其特征在于，所述参数提取方法包括：步骤10：测量外围开路去嵌电路的散射参数S，并将其变换得到导纳参数Y，从而计算出外围寄生电容Cpg、Cpd和Cpgd的数值，所述外围开路去嵌电路包括外围寄生电容Cpg、Cpd和Cpgd，所述外围寄生电容Cpgd串联Cpg和Cpd之间；步骤20：在Vgs＞0，Vds＝0V的偏置状态下，选择两组AlGaN/GaN HEMT器件的栅电压值分别为Vgs1和Vgs2，测试得到两组分别与两组栅电压值对应的且小于10mA的电流值Igs1和Igs2，再测量栅电压值分别为Vgs1和Vgs2时的S参数，并将其变换得到阻抗参数Z，再计算得到串联寄生电阻和串联寄生电感的数值；步骤30：测量AlGaN/GaN HEMT器件在偏置状态下的S参数，去除步骤10中计算出的外围寄生电容Cpg、Cpd和Cpgd和步骤20得到的串联寄生电阻Rg、Rd、Rs和串联寄生电感Lg、Ld、Ls，得到内部参数的本征S参数，并将其变换得到Y参数，再计算得到偏置状态下的内部本征参数栅电容Cgs、Cgd，跨导gm及其延迟因子τm，源漏电导gds及其漏端延迟因子τds，漏源电容Cds和栅源沟道电阻Ri的数值。