[发明专利]具有宽广相变化元素与小面积电极接点的存储器装置有效
| 申请号： | 201010589519.X | 申请日： | 2007-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102097587A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器单元装置，这种装置包括存储材料，可通过施加能量在第一与第二(顶部与底部)电极，改变电性；其中该顶部电极包括较大的主体部分与作用部。该存储材料以层状沉积在底部电极层之上，同时顶部电极的作用部基底与存储材料的表面小区域具有电接触。制作上述装置的方法也在其中描述。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 宽广 相变 元素 面积 电极 接点 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，包括：底部电极；存储元素，其位于所述底部电极之上；以及包括主体部分与作用部的顶部电极，其中所述顶部电极的所述作用部的基底，与所述存储元素的表面的一小区域电接触，其中所述顶部电极还包括内衬及由所述内衬包围的核心，所述内衬自所述作用部两侧垂直向上延伸而包围所述核心。
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