[发明专利]半导体压力传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201010589550.3 | 申请日： | 2010-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102121856A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 佐藤公敏 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;G01L9/06;G01L9/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;徐予红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体压力传感器及其制造方法。硅衬底(10)具有贯通孔(12)。在硅衬底(10)上形成有多晶硅膜(20)。多晶硅膜(20)在贯通孔(12)的上方具有膜片(24)。在多晶硅膜(20)上形成有绝缘膜(22)。具有压电电阻效应的多晶硅应变计电阻(R1、R2、R3、R4)形成在绝缘膜(22)上。多晶硅布线(W1、W2、W3、W4)将多晶硅应变计电阻(R1、R2、R3、R4)连接成电桥状。多晶硅应变计电阻(R1、R2)配置在膜片(24)的中央部，并分别具有并联连接的多个电阻，并且结构以及朝向相同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体压力传感器，其特征在于，具有：衬底，具有贯通孔；多晶硅膜，形成在所述衬底上，并且在所述贯通孔的上方具有膜片；绝缘膜，形成在所述多晶硅膜上；第一、第二、第三以及第四多晶硅应变计电阻，形成在所述绝缘膜上，并且具有压电电阻效应；以及多晶硅布线，将所述第一、第二、第三以及第四多晶硅应变计电阻连接成电桥状，所述第一以及第二多晶硅应变计电阻配置在所述膜片的中央部，并分别具有并联连接的多个电阻，并且，结构以及朝向相同。
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