[发明专利]感应耦合等离子体装置有效
| 申请号： | 201010590661.6 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102573258A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 彭东阳 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H05H1/16 | 分类号： | H05H1/16;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100026 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种感应耦合等离子体装置，主要是为了解决地磁场对ICP等离子体的影响以及如何灵活调节等离子体分布的问题而设计。本发明所述感应耦合等离子体装置至少包括：感应耦合发生装置和等离子体工作室，所述感应耦合发生装置设置在所述等离子体工作室的顶端开口处，在所述感应耦合等离子体装置上设置有一补偿调节装置，所述的补偿调节装置设置在所述感应耦合发生装置的外部或内部，且该补偿调节装置用于补偿地磁场影响且调节等离子体密度分布。本发明能够有效的补偿地磁场对等离子体密度分布的影响，并能够通过调节磁体的磁性强弱和磁场方向来灵活调节等离子体密度分布。 | ||
| 搜索关键词： | 感应 耦合 等离子体 装置 | ||
【主权项】：
一种感应耦合等离子体装置，至少包括：感应耦合发生装置和等离子体工作室，所述感应耦合发生装置设置在所述等离子体工作室的顶端开口处，其特征在于，在所述感应耦合等离子体装置上设置有一补偿调节装置，所述的补偿调节装置设置在所述感应耦合发生装置的外部或内部，且该补偿调节装置用于补偿地磁场影响且调节等离子体密度分布。
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