[发明专利]加热控制方法、装置和系统、以及PECVD设备无效
| 申请号： | 201010591222.7 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102560435A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 付金生 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/46 | 分类号： | C23C16/46;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100026 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种加热控制方法、装置和系统、以及PECVD设备，涉及半导体技术领域，为能够有效减少加热时间，提高生产效率而发明。所述加热控制方法，包括：获取被加热物的当前温度；启动加热器对所述被加热物进行加热；检测所述加热器的温度是否达到预先设定的目标温度；当检测到所述加热器的温度达到所述目标温度后，控制所述加热器的温度持续稳定在所述目标温度一特定时间，其中，所述特定时间根据所述被加热物的当前温度和所述预先设定的目标温度所确定，且所述特定时间随着所述被加热物的当前温度的升高而逐渐减小；关闭所述加热器，以结束加热。本发明可用于半导体器件的制造过程中。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 控制 方法 装置 系统 以及 pecvd 设备 | ||
【主权项】：
一种加热控制方法，其特征在于，包括：获取被加热物的当前温度；启动加热器对所述被加热物进行加热；检测所述加热器的温度是否达到预先设定的目标温度；当检测到所述加热器的温度达到所述目标温度后，控制所述加热器的温度持续稳定在所述目标温度一特定时间，其中，所述特定时间根据所述被加热物的当前温度和所述预先设定的目标温度所确定，且所述特定时间随着所述被加热物的当前温度的升高而逐渐减小；关闭所述加热器，以结束加热。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
