[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括在水平方向上延伸的半导体材料的基板。多个层间电介质层在基板上。提供多个栅图案，每个栅图案在相邻的下层间电介质层与相邻的上层间电介质层之间。半导体材料的垂直沟道在基板上并沿垂直方向延伸穿过多个层间电介质层和多个栅图案。垂直沟道具有外侧壁，外侧壁具有多个沟道凹陷，每个沟道凹陷对应于多个栅图案中的栅图案。垂直沟道具有内侧壁，内侧壁在垂直方向线形延伸。信息存储层存在于每个栅图案与垂直沟道之间在凹陷中，使栅图案与垂直沟道绝缘。

主权项

一种半导体器件，包括：在水平方向上延伸的半导体材料的基板；在所述基板上的多个层间电介质层；多个栅图案，每个栅图案在相邻的下层间电介质层与相邻的上层间电介质层之间；半导体材料的垂直沟道，在所述基板上并沿垂直方向延伸穿过所述多个层间电介质层和所述多个栅图案，所述垂直沟道具有外侧壁，该外侧壁具有多个沟道凹陷，每个沟道凹陷对应于所述多个栅图案中的栅图案，所述垂直沟道具有内侧壁；以及信息存储层，在每个栅图案与所述垂直沟道之间在所述凹陷中，使所述栅图案与所述垂直沟道绝缘。