[发明专利]一种低功耗微弱信号放大整形电路

摘要

本发明公开了一种低功耗微弱信号放大整形电路，涉及集成电路技术，包括基准源电路、放大电路和施密特触发器整形电路。其中，放大电路由一个opa，两个电容，两个PMOS构成，施密特触发器电路由三个PMOS管，三个NMOS管、一个反向器INV和一个SR触发器构成，基准电路由二个PMOS管，二个NMOS管和三个电阻构成。本发明采用了一种翻转阈值可控的混合模式施密特触发器，并且使用三个等间隔的负温度系数基准电压偏置预放大电路和施密特触发器，确保电路在任何PVT条件下皆能保持较高的精确度。本发明电路具有较低的功耗，同时具有较高的抗PVT变化能力。

主权项

一种低功耗微弱信号放大整形电路，将微弱方波、正弦波信号放大并整形为满幅方波；其特征在于，包括基准源电路、放大电路和施密特触发器整形电路；其中，基准电路包括二个PMOS管PMr1、PMr2，二个NMOS管NMr1、NMr2和三个电阻R1、R2、R3；放大电路包括一个放大器opa，两个电容C1、C2，两个PMOS管NMo1、NMo2级联而成的电阻结构；施密特触发器电路包括三个PMOS管PMs1、PMs2、PMs3，三个NMOS管NMs1、NMs2、NMs3、一个反相器INV和一个SR触发器；基准源电路的PMr1管和PMr2管的源极分别接电源，PMr1管漏极分别接NMr1管漏极和NMr2管栅极；PMr1管栅极分别与PMr2管栅极、漏极及NMr2管漏极电连接；NMr2管源级经串联的电阻R1、R2、R3分别接NMr1管源极和地；NMr2管源级与电阻R1的接点与NMs2管栅极电连接；电阻R1与电阻R2的接点分别与NMr1管栅极和放大器opa正输入端电连接；预放大电路的电容C1一端接输入信号，另一端与放大器opa负输入端电连接；NMo1管和NMo2管串接后，两端与电容C2并联，且跨接于放大器opa的负输入端、输出端之间；放大器输出端与NMs1管栅极电连接；施密特触发器的三个PMs1、PMs2、PMs3管的源极分别接电源，三个NMs1、NMs2、NMs3管的源极分别接地；PMs1管漏极、三个PMs1、PMs2、PMs3管栅极、NMs1管漏极电连接；PMs2管漏极、NMs2管漏极、SR触发器的S极电连接；PMs3管漏极、NMs3管漏极、反相器INV的输入端电连接；反相器INV的输出端与SR触发器的R极电连接；SR触发器的Q极为输出。