[发明专利]限制竞争RAM锁存器无效
| 申请号： | 201010592867.2 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102055463A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李夏禹 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H03K19/0944 | 分类号： | H03K19/0944 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种限制竞争RAM锁存器，所述RAM锁存器分为n型和p型。其中所述n型RAM锁存器，包括n型SSTCL锁存器，还包括与所述n型SSTCL锁存器的PMOS管MP4并联的两个PMOS管MP8和MP10，以及与所述n型SSTCL锁存器的另一PMOS管MP5并联的另外两个PMOS管MP9和MP11，其中所述PMOS管MP8和MP10串联，所述PMOS管MP9和MP11串联。该结构采用并行充电支路解决了结点竞争短路问题，可以在保持较高充电速度的同时降低短路功耗，并且时钟负载只有一个NMOS管，有利于节省时钟部分的功耗。HSPICE电路仿真结果显示，在500MHz的时钟频率下，同参考文献结构SRIDL相比CC-RAM可以降低功耗延迟积21.4％。 | ||
| 搜索关键词： | 限制 竞争 ram 锁存器 | ||
【主权项】：
一种限制竞争RAM锁存器，包括静态单时钟负载管锁存器SSTCL锁存器，其特征在于，还包括与所述SSTCL锁存器的PMOS管MP4并联的两个PMOS管MP8和MP10，以及与所述SSTCL锁存器的另一PMOS管MP5并联的另外两个PMOS管MP9和MP11，其中所述PMOS管MP8和MP10串联，所述PMOS管MP9和MP11串联。
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