[发明专利]一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201010593296.4 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102130295A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;韦晓莹;王芳;曲长庆 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市南*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器，其器件单元由底电极、阻变存储层和顶电极构成，器件单元为三明治结构，阻变存储层位于底电极和顶电极之间，阻变存储层采用氧化钒薄膜，氧化钒成分为VOx，其中0.5＜X＜2.5，氧化钒薄膜的厚度为(20-500)纳米；所述底电极为Pt、W、Ti、TiN、Cu或导电金刚石，所述顶电极采用电接触较好的Cu、Ag或Al。本发明的优点是：通过本发明能够制备出性能良好的以五氧化二钒为基础的氧化钒混合相多晶薄膜，且通过退火处理，可以降低基于氧化钒的阻变存储器的Forming电压，得到低的Set、Reset电压，从而可以降低器件的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 薄膜 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器，其特征在于：其器件单元由底电极、阻变存储层和顶电极构成，器件单元为三明治结构，阻变存储层位于底电极和顶电极之间，阻变存储层采用氧化钒薄膜，氧化钒成分为VOX，其中0.5＜X＜2.5，氧化钒薄膜的厚度为(20‑500)纳米。
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