[发明专利]一种轴承箱的探伤技术无效
申请号: | 201010593751.0 | 申请日: | 2010-12-17 |
公开(公告)号: | CN102156165A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 高峻;吴争杰;张晓亮 | 申请(专利权)人: | 大连引领科技发展有限公司 |
主分类号: | G01N27/90 | 分类号: | G01N27/90 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 116011 辽宁省大*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种轴承箱的探伤技术,其特征是先通过快速涡流进行大面积表面检测,再采用着色荧光探伤技术对焊接的焊缝进行再次检测,以检测出焊接后焊缝的表面缺损;然后对发现的缺陷部位进行碳化硅的表面处理,使轴承箱的表面缺陷得到修复,修复后的轴承箱质量符合质量标准的要求。本发明具有工作效率高,施工成本低,操作简便,防腐蚀,持久耐用的特点,保证了所制轴承箱的精度,延长了轴承的使用寿命,改善了整个发电机组的性能,降低了检测成本,是一种具有推广价值的新技术。 | ||
搜索关键词: | 一种 轴承 探伤 技术 | ||
【主权项】:
所述的一种轴承箱的探伤技术,其特征是先用涡流检测仪通过交变磁场作用于轴承箱,自动检测到裂纹时会产生缺陷信号,将具有缺陷的焊接裂纹全部检测出来;再采用着色荧光探伤技术,在探伤渗透液中加入一定量的荧光粉,对具体发现的焊接裂纹进行精准荧光定位;再将发现裂纹的缺陷部位加热,使气体氯硅烷和高纯氢气在高温条件下进行反应,氯硅烷裂解为氯化氢和碳化硅,碳化硅沉积在缺陷表面形成碳化硅层,使缺陷表面外层得到修复。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连引领科技发展有限公司,未经大连引领科技发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010593751.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:改进的腋臭粉
- 下一篇:供电方法、服务器、基站、接收电能的方法和移动终端