[发明专利]以锗酸根离子水溶性前驱体制备锗材料的方法有效
| 申请号： | 201010594317.4 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102049529A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 敬承斌;聂荣志;臧晓丹;单海洋;王伟;姜迎静;李毅;褚君浩 | 申请（专利权）人： | 敬承斌 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24;B82Y40/00;C23C18/31 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 马俊荣 |
| 地址： | 266042 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及锗材料的制备方法，特别是锗纳米粉体和锗膜的制备，属于无机材料技术领域。所述的锗材料包括锗纳米粉体、锗薄膜和锗多孔膜材料等，其中，锗纳米粉体的制备方法是利用锗酸根离子水溶性前驱体与硼氢化钠反应，将反应产物离心、洗涤、干燥后，经进一步热处理即得。本发明采用锗酸根离子水溶性前驱体制备锗材料，前驱体用二氧化锗溶于碱性溶液即可获得，二氧化锗价格便宜，无毒无污染，特别适合工业化生产；还原剂采用硼氢化钠，相对于钠和金属萘化合物等还原剂，其反应过程温和，而且常温常压下就能反应；解决了锗材料制备中成本高，工艺过于复杂以及潜在安全隐患多等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 酸根 离子 水溶性 前驱 体制 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种锗纳米粉体的制备方法，其特征在于利用锗酸根离子水溶性前驱体与硼氢化钠反应，将反应产物离心、洗涤、干燥后，经过进一步热处理得到。
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