[发明专利]一种低压埋沟VDMOS器件无效
| 申请号： | 201010594452.9 | 申请日： | 2010-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN102097479A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;姜贯军;余士江;李婷;谢加雄;任敏;李吉;肖璇;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种低压埋沟VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。本发明利用掩埋层沟道结构大大降低了沟道电阻，并且金属氧化物半导体结构的栅氧化层非常薄，利用金属氧化物半导体结构表面电场效应，栅源极间加正向电压时形成积累层而加反向电压时形成耗尽层，在很小的正向栅电压下栅氧化层的下半导体表面发生电子或者空穴积累，从而获得极低的导通电阻和良好的开关特性。该结构器件可广泛应用于便携式电源和CPU电源系统。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 vdmos 器件 | ||
【主权项】：
一种低压埋沟VDMOS器件，包括金属化漏极(1)、N+衬底(2)、N‑外延层(3)、深P体区(5)、N型重掺杂区(6)、P型重掺杂区(7)、栅氧化层(8)、多晶硅栅电极(9)、金属化源极(10)；金属化漏极(1)位于N+衬底(2)背面，N‑外延层(3)位于N+衬底(2)正面；两个深P体区(5)位于N‑外延层(3)上部的两侧，深P体区(5)的外侧部分通过P型重掺杂区(7)与金属化源极(10)相连；深P体区(5)的内侧部分通过N型重掺杂区(6)与金属化源极(10)相连；两个N型重掺杂区(6)之间的N‑外延层(3)的表面是栅氧化层(8)，栅氧化层(8)的表面是多晶硅栅电极(9)，多晶硅栅电极(9)与金属化源极(10)之间是隔离介质；所述深P体区(5)采用高能离子注入工艺制作；所述栅氧化层(8)的厚度在5～30纳米之间。
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