[发明专利]半导体结构及其制造方法、电阻结构无效

专利信息
申请号: 201010594455.2 申请日: 2010-12-14
公开(公告)号: CN102315201A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 林建宏;彭锦权;李慈莉;林碧玲;魏伯州;蔡建世 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64;H01L23/367;H01L21/02
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种半导体结构及其制造方法、电阻结构,该半导体结构用以将一具有相邻元件和内连线的电阻的热量消散,包括:一半导体基底;一电阻,设置于半导体基底上;及一热保护结构,设置于电阻上。热保护结构具有多个散热单元,上述散热单元具有与热保护结构热导接触的一末端,和与半导体基底热导接触的另一末端。热保护结构接收电阻产生的热量,且上述散热单元将电阻产生的热量消散至半导体基底。本发明可减少电阻周围元件和内连线的热冲击。
搜索关键词: 半导体 结构 及其 制造 方法 电阻
【主权项】:
一种半导体结构,用以将一具有相邻元件和内连线的电阻的热量消散,包括:一半导体基底;一电阻,设置于该半导体基底上;及一热保护结构,设置于该电阻上,该热保护结构具有多个散热单元,所述多个散热单元具有与该热保护结构热导接触的一末端,和与该半导体基底热导接触的另一末端,该热保护结构用以接收该电阻产生的热量,且所述多个散热单元用以将该电阻产生的热量经由该半导体基底消散。
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