[发明专利]相变存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201010594846.4 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102569645A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健;涂火金;何有丰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种相变存储器及其形成方法，所述相变存储器的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成沟槽；在所述沟槽中外延生长形成第一外延层，所述第一外延层为N型掺杂或P型掺杂的半导体材料。本发明有利于改善PN结的膜层质量，提高作为字线的第一外延层的掺杂浓度的均匀性，而且有利于避免字线电阻升高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成沟槽；在所述沟槽中外延生长形成第一外延层，所述第一外延层为N型掺杂或P型掺杂的半导体材料。
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