[发明专利]一种低热导率的多层相变材料有效
| 申请号： | 201010595047.9 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102142517B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 缪向水;童浩;程晓敏 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B32B9/00;G01N25/20 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低热导率的多层相变材料，两种单层薄膜相变材料交替堆叠形成周期性的多层膜结构，两种薄膜材料至少有一种组成元素不同或由相同的元素组成但原子百分比不同。其作为相变存储器的记录材料能有效降低对某一储存单元进行读写操作时引起的邻近储存单元温升，减小邻近单元之间的热串扰，提高存储器的稳定性并降低器件功耗，且该材料不需引入其他非相变材料，与现有制备技术完全兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低热 多层 相变 材料 | ||
【主权项】：
一种测试多层相变材料热导率的样品，包含两层绝缘导热材料和多层相变材料,多层相变材料位于两层绝缘导热材料之间，其中一层绝缘导热材料沉积于Si衬底上，另一层导热绝缘材料上沉积有金属条，所述金属条为“工”字形结构；所述多层相变材料为两种单层薄膜相变材料交替堆叠形成周期性的多层膜结构，两种薄膜材料的组成元素不全相同或完全相同但原子百分比不同；所述单层薄膜相变材料为GeTe、BiTe、SnTe、AsTe、GeSe、SbSe、BiSe、SnSe、AsSe、InSe、GeSbTe和AgInSbTe中的任意一种,或者上述任意一种化合物掺杂S或N或O或Cu或Si或Au元素形成的混合物；所述两种单层薄膜相变材料有相同的晶体结构且晶格常数接近。
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