[发明专利]薄膜太阳电池用复合背反射金属电极及其制备方法和应用有效
申请号: | 201010597396.4 | 申请日: | 2010-12-17 |
公开(公告)号: | CN102569433A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 周丽华;刘成;叶晓军;王小顺;钱子勍;陈鸣波 | 申请(专利权)人: | 上海空间电源研究所 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/0352 |
代理公司: | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人: | 金家山 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜太阳电池用复合背反射金属电极,它是一种复合多层膜,在衬底上依次沉积过渡层金属、银膜和掺铝氧化锌。本发明还公开了该复合背反射金属电极的制备方法。本发明复合背反射金属电极由于过渡层金属与柔性衬底有优异的黏附力,使得所沉积的各层薄膜不易从衬底上脱落;同时,银膜具有明显的织构,形成陷光结构,增强了入射光的反射,使得入射光在电池吸收层中的吸收更充分,提高电池性能;掺铝氧化锌具有合适的厚度,不仅阻止银在电池制备过程中扩散进入电池,还可以起到覆盖银膜表面尖峰以及增强反射光的作用。因此,本发明提高了薄膜与衬底之间的结合力,显著提高电池性能和均匀性。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳电池 复合 反射 金属电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳电池用复合背反射金属电极,其特征在于,它是一种复合多层膜,在衬底上依次沉积过渡层金属、银膜和掺铝氧化锌。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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