[发明专利]一种MLC存储单元的编程方法和装置有效
申请号: | 201010597580.9 | 申请日: | 2010-12-20 |
公开(公告)号: | CN102543198A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 苏志强;舒清明 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 苏培华 |
地址: | 100084 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种MLC存储单元的编程方法和装置,所述存储单元存储N位数据,共有2N种数据状态,所述方法包括:验证所述存储单元的阈值电压是否位于与待编程的数据状态相对应的目标阈值电压范围内;若是,结束对存储单元的编程;若否,则执行阈值电压抬升步骤:通过对所述存储单元施加第n编程校验电压,将存储单元的阈值电压抬升至第n+1目标阈值电压范围,所述第n+1目标阈值电压范围与当前数据状态的下一相邻数据状态相对应;之后返回阈值电压的验证步骤;其中,n的初始值为1,每当返回到阈值电压的验证步骤,n的取值递加1,n的最大取值为2N-1。通过本发明,提高了编程的精准度。 | ||
搜索关键词: | 一种 mlc 存储 单元 编程 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种MLC存储单元的编程方法,所述存储单元存储N位数据,共有2N种数据状态,其特征在于,包括:验证所述存储单元的阈值电压是否位于与待编程的数据状态相对应的目标阈值电压范围内;若是,结束对存储单元的编程;若否,则执行阈值电压抬升步骤:通过对所述存储单元施加第n编程校验电压,将存储单元的阈值电压抬升至第n+1目标阈值电压范围,所述第n+1目标阈值电压范围与当前数据状态的下一相邻数据状态相对应;之后返回阈值电压的验证步骤;其中,n的初始值为1,每当返回到阈值电压的验证步骤,n的取值递加1,n的最大取值为2N‑1。
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