[发明专利]机械强度测试设备、半导体装置的制造方法与测试方法无效

专利信息
申请号: 201010597592.1 申请日: 2010-12-21
公开(公告)号: CN102479733A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 谢明哲;刘汉诚;谭瑞敏 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;G01N3/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种机械强度测试设备、半导体装置的制造方法与测试方法。制造方法包括下列步骤。提供一待测物。待测物包括一晶片、一绝缘层与多个导电柱。晶片包括多个芯片区。晶片的表面具有多个第一与第二盲孔。第一盲孔位于芯片区外,第二盲孔位于芯片区内。绝缘层覆盖晶片的表面及第一与第二盲孔的孔壁。导电柱填充于第一与第二盲孔内,且绝缘层位于导电柱与第一盲孔的孔壁及第二盲孔的孔壁之间。进行一机械强度测试,以测试绝缘层、导电柱与第一盲孔的孔壁之间的结合强度。在合格通过机械强度测试后,将芯片区的导电柱电连接一元件。
搜索关键词: 机械 强度 测试 设备 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,包括:提供一晶片,该晶片具有第一表面与第二表面;形成多数盲孔于该晶片的第一表面上;形成一绝缘层于该盲孔壁与该晶片的第一表面上;形成一导电柱于该盲孔内,使该导电柱的第一表面露出该绝缘层;及提供一外力于该导电柱的第一表面,通过该导电柱破坏与否判断该导电柱的机械强度。
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