[发明专利]制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法无效
| 申请号： | 201010597849.3 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102097106A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 高云;张兴旺;尹志岗;屈盛;高红丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G11B5/851 | 分类号： | G11B5/851 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法，该方法包括：步骤1：在衬底上，溅射一层缓冲层；步骤2：在缓冲层上溅射一层取向诱导层；步骤3：利用浸涂或者旋涂的方法，在取向诱导层上自组装一层磁性纳米颗粒阵列；步骤4：在磁性纳米颗粒阵列上溅射一层盖层，形成基片；步骤5：对基片进行退火处理，完成磁记录介质的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 垂直 取向 图案 记录 介质 方法 | ||
【主权项】：
一种制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法，该方法包括：步骤1：在衬底上，溅射一层缓冲层；步骤2：在缓冲层上溅射一层取向诱导层；步骤3：利用浸涂或者旋涂的方法，在取向诱导层上自组装一层磁性纳米颗粒阵列；步骤4：在磁性纳米颗粒阵列上溅射一层盖层，形成基片；步骤5：对基片进行退火处理，完成磁记录介质的制备。
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