[发明专利]图案化金属层的方法以及利用其的半导体器件制造方法有效
申请号: | 201010597938.8 | 申请日: | 2010-12-20 |
公开(公告)号: | CN102477578A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 黄松辉;蓝纬洲;叶佳俊;辛哲宏 | 申请(专利权)人: | 元太科技工业股份有限公司 |
主分类号: | C25F3/14 | 分类号: | C25F3/14;H01L21/02;H01L21/336 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭露一种图案化金属层的方法,其包含以下步骤。提供一基材,此基材表面具有一金属层。在金属层上形成一导电高分子图案层,此金属层的一部分由导电高分子图案层露出。将形成有导电高分子图案层的基材置入一电解槽中,让露出的金属层接触电解槽中的电解液,电解槽的阳极电性连接导电高分子图案层,电解槽的阴极接触电解液。随后,在电解槽的阳极与该阴极之间提供一电位差,以进行一电解反应,让露出部分的金属层溶解于电解液中。本发明还揭露了一种利用上述方法的半导体器件制造方法。 | ||
搜索关键词: | 图案 金属 方法 以及 利用 半导体器件 制造 | ||
【主权项】:
一种图案化金属层的方法,包含:提供一基材,其表面具有一金属层;形成一导电高分子图案层于该金属层上,其中该导电高分子图案层露出该金属层的一部分;将形成有该导电高分子图案层的基材置入一电解槽中,让该露出部分的金属层接触该电解槽的电解液,其中该电解槽的一阳极电性连接该导电高分子图案层,且该电解槽的一阴极接触该电解液;以及提供一电位差于该阳极与该阴极间,以进行一氧化还原反应,让该露出部分的金属层溶解于该电解液中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于元太科技工业股份有限公司,未经元太科技工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010597938.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:分配器
- 下一篇:具有导电外侧和电绝缘内侧的带结构