[发明专利]图案化金属层的方法以及利用其的半导体器件制造方法有效

专利信息
申请号: 201010597938.8 申请日: 2010-12-20
公开(公告)号: CN102477578A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 黄松辉;蓝纬洲;叶佳俊;辛哲宏 申请(专利权)人: 元太科技工业股份有限公司
主分类号: C25F3/14 分类号: C25F3/14;H01L21/02;H01L21/336
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 陈红
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明揭露一种图案化金属层的方法,其包含以下步骤。提供一基材,此基材表面具有一金属层。在金属层上形成一导电高分子图案层,此金属层的一部分由导电高分子图案层露出。将形成有导电高分子图案层的基材置入一电解槽中,让露出的金属层接触电解槽中的电解液,电解槽的阳极电性连接导电高分子图案层,电解槽的阴极接触电解液。随后,在电解槽的阳极与该阴极之间提供一电位差,以进行一电解反应,让露出部分的金属层溶解于电解液中。本发明还揭露了一种利用上述方法的半导体器件制造方法。
搜索关键词: 图案 金属 方法 以及 利用 半导体器件 制造
【主权项】:
一种图案化金属层的方法,包含:提供一基材,其表面具有一金属层;形成一导电高分子图案层于该金属层上,其中该导电高分子图案层露出该金属层的一部分;将形成有该导电高分子图案层的基材置入一电解槽中,让该露出部分的金属层接触该电解槽的电解液,其中该电解槽的一阳极电性连接该导电高分子图案层,且该电解槽的一阴极接触该电解液;以及提供一电位差于该阳极与该阴极间,以进行一氧化还原反应,让该露出部分的金属层溶解于该电解液中。
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