[发明专利]固体摄像器件、用于制造固体摄像器件的方法及电子装置有效
| 申请号： | 201010598231.9 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102110702A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 山口哲司 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 冯丽欣;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种固体摄像器件、用于制造固体摄像器件的方法及电子装置，所述固体摄像器件包括：半导体区域，它位于多层式布线层上；电荷累积层，它位于所述半导体区域中；阻挡层，它位于所述电荷累积层上；以及连接部，它位于所述阻挡层上。因此，能提高传输效率而不会阻碍像素微型化。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 摄像 器件 用于 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种固体摄像器件，所述固体摄像器件包括：半导体区域，它位于多层式布线层上；电荷累积层，它位于所述半导体区域中；阻挡层，它位于所述电荷累积层上；以及连接部，它位于所述阻挡层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
