[发明专利]半导体元件和用于制造半导体元件的方法有效
| 申请号： | 201010598246.5 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102130171A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 甘利浩一 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 冯丽欣;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体元件和用于制造半导体元件的方法，该半导体元件包括半导体基板和半导体器件，半导体器件是场效应晶体管且包括栅极绝缘膜、栅极电极以及一对源极区域和漏极区域，半导体基板包括在设有栅极电极的部分中的图形化表面，半导体基板的图形化表面包括凸部，在凸部处，栅极绝缘膜被形成为覆盖与一对源极区域和漏极区域的表面处于相同平面上的表面，且栅极电极形成在栅极绝缘膜的顶面上，并且半导体基板的图形化表面包括凹部，在凹部处，栅极绝缘膜被形成为覆盖比一对源极区域和漏极区域的表面更朝内部而形成的凹槽的表面，且栅极电极被形成为填充设有栅极绝缘膜的凹槽。因此，能在实现半导体器件小型化的同时改善半导体器件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，所述半导体元件包括：半导体基板；以及半导体器件，它被设置在所述半导体基板上，所述半导体器件是场效应晶体管且包括：被设置在所述半导体基板上的栅极绝缘膜；被设置在所述栅极绝缘膜上的栅极电极；以及被设置成夹着所述半导体基板上的所述栅极电极的一对源极区域和漏极区域，所述半导体基板包括在设有所述栅极电极的部分中的图形化表面，所述半导体基板的图形化表面包括凸部，在所述凸部处，所述栅极绝缘膜被形成为覆盖与所述一对源极区域和漏极区域的表面处于相同平面上的表面，且所述栅极电极形成在所述栅极绝缘膜的顶面上，并且所述半导体基板的图形化表面包括凹部，在所述凹部处，所述栅极绝缘膜被形成为覆盖比所述一对源极区域和漏极区域的表面更朝内部而形成的凹槽的表面，且所述栅极电极被形成为填充设有所述栅极绝缘膜的所述凹槽。
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