[发明专利]一种无机半导体硒化镉纳米管结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201010598841.9 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102060278A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 张蒙;钱震;宋辉;王志文;张媛;刘文;王海国;刘楠;梁莹;袁学民;孙世谦;曹振岩;孙艳行 | 申请（专利权）人： | 中国天辰工程有限公司;天津天辰绿色能源工程技术研发有限公司 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽英 |
| 地址： | 300400 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备无机半导体硒化镉纳米管结构的方法，它包括以下步骤：(1)按照气流的流动方向在管式炉的石英管中依次放置苝粉末、硒化镉粉末和硅片，其中硅片用耐高温胶固定在内壁上侧，气流为待送入石英管中的惰性气体；(2)在石英管中通入惰性气体，当石英管中完全处于惰性气体氛围时，在保持惰性气体流入的同时，控制管式炉按预定速率升温至制备纳米管结构所需温度，然后恒温预定时间以使反应充分进行，然后自然冷却降温，在硅片的基面上得到无机半导体硒化镉纳米管结构。采用本发明方法能够制备得到形貌均一且新奇的CdSe纳米管材料。该CdSe纳米管材料具备良好的阴极射线发光性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无机 半导体 硒化镉 纳米 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种无机半导体硒化镉纳米管结构，其特征在于：在基层上沉积的纳米材料为纳米管结构，所述的纳米管结构的径向横截面为正六边形。
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