[发明专利]CMP工艺缺陷检测方法和浅沟槽隔离的制作方法有效
| 申请号： | 201010599263.0 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102543786A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陈亚威 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CMP工艺缺陷检测方法和浅沟槽隔离的制作方法，所述检测方法包括：提供基底，所述基底具有至少两个开口，所述开口之间具有半导体结构，所述半导体结构上具有研磨阻挡层；在所述开口内的基底表面和研磨阻挡层上覆盖介质层；进行CMP工艺去除所述研磨阻挡层之上的介质层，从而平坦化所述基底表面，然后去除所述研磨阻挡层；在开口内覆盖介质层之前或者去除研磨阻挡层之后，测量所述半导体结构的关键尺寸；检测CMP工艺后基底表面是否具有划痕缺陷，如果是，则判断所述半导体结构的关键尺寸是否大于预设值，如果是，确定所述划痕缺陷由标记刻蚀过程引入。通过上述检测方法，可以改善CMP工艺可靠性并提高产能。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 工艺 缺陷 检测 方法 沟槽 隔离 制作方法 | ||
【主权项】：
一种CMP工艺缺陷检测方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有至少两个开口，所述开口之间具有半导体结构，所述半导体结构上具有研磨阻挡层；在所述开口内的基底表面和研磨阻挡层上覆盖介质层；进行CMP工艺去除所述研磨阻挡层之上的介质层，从而平坦化所述基底表面，然后去除所述研磨阻挡层；在开口内覆盖介质层之前或者去除研磨阻挡层之后，测量所述半导体结构的关键尺寸；检测CMP工艺后基底表面是否具有划痕缺陷，如果是，则进行下一步；判断所述半导体结构的关键尺寸是否大于预设值，如果是，确定所述划痕缺陷由标记刻蚀过程引入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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