[发明专利]一种In2Se3纳米材料的制备方法无效
| 申请号： | 201010599420.8 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102534800A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 孙旭辉;李洋 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B23/00;C23C14/06;C23C14/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种In2Se3纳米材料的制备方法，包括：将气相In2Se3用载气输送到含有催化剂的基体上，并在所述基体上沉积生长得到In2Se3纳米材料；所述催化剂为金颗粒、金膜或铟膜。本发明使用气相沉积法将气相In2Se3沉积在基体上，在催化剂的催化作用下生长成纳米棒或纳米线，而且控制载气的种类可以控制纳米线的晶相，在氩气、氮气或氦气中沉积生长可以制备主晶相为κ相的In2Se3纳米线，在氢气中沉积生长可以制备α相In2Se3纳米线，制备的纳米线晶相均一，直径均匀，提高了In2Se3纳米线和纳米棒的密度，使In2Se3纳米材料的性能更好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 in sub se 纳米 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种In2Se3纳米材料的制备方法，其特征在于，包括：将气相In2Se3用载气输送到含有催化剂的基体上，并在所述基体上沉积生长得到In2Se3纳米材料；所述催化剂为金颗粒、金膜或铟膜。
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