[发明专利]太阳能晶片的掺杂方法以及掺杂晶片

摘要

本发明公开了一种太阳能晶片的掺杂方法包括以下步骤：在N型基底表面形成N+型掺杂层；在该N+型掺杂层表面形成掺杂阻挡层；在该掺杂阻挡层表面形成具有图样的薄膜；蚀刻开放区域的掺杂阻挡层和N+型掺杂层，并在该具有图样的薄膜下方靠近该开放区域的一端的该掺杂阻挡层和N+型掺杂层中形成侧蚀，其中蚀刻深度至少为该掺杂阻挡层和该N+型掺杂层厚度的总和；通过离子注入的方式将P型离子注入至N型基底中以形成P+型掺杂区域，其中，该P+型掺杂区域与该N+型掺杂层互不接触；去除该具有图样的薄膜以及该掺杂阻挡层。本发明公开了一种掺杂晶片。本发明简化了工艺步骤，无需购买光刻机，无需使用多张掩模板，不存在掩模板校准问题且降低了制作成本。

主权项

一种太阳能晶片的掺杂方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S1、在N型基底表面形成N+型掺杂层；步骤S2、在该N+型掺杂层表面形成掺杂阻挡层；步骤S3、在该掺杂阻挡层表面形成具有图样的薄膜，其中，未被该具有图样的薄膜覆盖的区域为开放区域；步骤S4、蚀刻去除该开放区域的掺杂阻挡层以及N+型掺杂层，并在该具有图样的薄膜下方靠近该开放区域的一端的该掺杂阻挡层和N+型掺杂层中形成侧蚀，其中蚀刻深度至少为该掺杂阻挡层和该N+型掺杂层厚度的总和；步骤S5、加速P型离子并通过离子注入的方式将该P型离子从该N型基底的表面的该开放区域注入至N型基底中以形成P+型掺杂区域，其中，该P+型掺杂区域与该未经蚀刻的N+型掺杂层互不接触；步骤S6、去除该具有图样的薄膜以及该掺杂阻挡层，其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。