[发明专利]一种基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法无效
申请号: | 201010600378.7 | 申请日: | 2010-12-22 |
公开(公告)号: | CN102081274A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
发明(设计)人: | 黄婉霞;施奇武;张雅鑫;张玉波;毛茂;颜家振 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | G02F1/355 | 分类号: | G02F1/355;H04B10/155 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610064 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提出了一种基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法,它由基底、二氧化钒薄膜和表面金属超材料三层结构构成。这种太赫兹波调制装置利用二氧化钒可逆相变过程中光电参数突变量大和相变时间短的特性,实现太赫兹波的强度调制。装置调制方法是采用外加热量、偏压或激光激发中的一种或多种途径来激发二氧化钒薄膜。本发明采用二氧化钒薄膜为核心动态功能材料来设计和制备太赫兹波动态调制器件,可以解决目前太赫兹动态器件调制效率低、调制速度慢的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 氧化 薄膜 相变 特性 赫兹 调制 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法,其特征在于该调制装置由基底(1)、二氧化钒薄膜(2)和表面金属超材料(3)三层结构构成;其中,二氧化钒薄膜均匀生长在基底表面,然后再在二氧化钒薄膜表面制备金属超材料结构。
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