[发明专利]一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统有效
| 申请号： | 201010600790.9 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102148154A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 任春江;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;B32B15/01 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统，其特征是铝镓氮(AlGaN)/氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)源电极16和漏电极17所采用的欧姆接触系统为Ti/Al/Ni/Mo/Au。优点：它可同时满足高性能AlGaN/GaN HEMT所需的具有小的欧姆接触电阻率、良好的表面平整度和高可靠度。实施例1中在N2等惰性气体保护下通过高温热退火后才能与AlGaN层13形成良好的欧姆接触，实施例2通过在Ti金属层29可以解决Mo金属层28与Au金属层30黏附性较差的问题，从而满足某些场合下对于欧姆接触最上层金属Au厚度要求较厚的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 金属 阻挡 氮化 器件 多层 欧姆 接触 系统 | ||
【主权项】：
一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统，其特征是铝镓氮(AlGaN)/氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)源电极16和漏电极17所采用的欧姆接触系统为Ti/Al/Ni/Mo/Au。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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