[发明专利]直拉法生长P型高寿命掺硼硅单晶的方法有效
| 申请号： | 201010600826.3 | 申请日： | 2010-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102094236A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 任丙彦;任丽 | 申请（专利权）人： | 任丙彦;任丽 |
| 主分类号： | C30B27/02 | 分类号： | C30B27/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人： | 王小静 |
| 地址： | 300130 天津市红*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种直拉法生长P型高寿命掺硼硅单晶的方法。该方法是专门用于生长P型高寿命硅单晶直拉硅单晶生长法。本发明在投料量70～90公斤的Φ20″热装置下生长的Φ150-200mm，P<100>硅单晶的电阻率为3-20Ω·cm，寿命值大于300微秒。本发明对晶体少子寿命的提高不仅表明微观晶格完整性的大大改善而且表明晶体生长中杂质对晶棒沾污和扩散污染大大减少。若将该P型硅片用于太阳能发电可大大提高光电转换效率，若用于集成电路衬底可大大提升产品的相关品质参数。本发明不仅使晶棒的整体少子寿命大大提高，而且断面少子寿命分布趋于均匀，实现单晶硅晶格高完整性和高纯度的产品升级，应用广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 直拉法 生长 寿命 掺硼硅单晶 方法 | ||
【主权项】：
一种直拉法生长P型高寿命掺硼硅单晶的方法包括装料、加热、拉晶，单晶炉设备主要包括加热器、导流筒、坩埚、托盘、炉底护盘和排气孔，其特征在于：充氩气至炉压2500Pa～3500Pa，引细径拉速为6～17mm/分钟，细径长度不小于170mm，直径≤4mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于任丙彦;任丽，未经任丙彦;任丽许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010600826.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种组合式灯串的灯头结构
- 下一篇：一种高强度高韧性螺栓用合金钢及其制备方法
