[发明专利]SOG层和光抗蚀剂层的反应离子刻蚀方法有效
| 申请号： | 201010601185.3 | 申请日： | 2010-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102569062A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;徐秋霞;贺晓斌;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/84;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了SOG层和光抗蚀剂层的反应离子刻蚀方法，其中将包含SOG层或光抗蚀剂层的晶片放置在反应室中，向反应室中流入刻蚀气体，并且向晶片施加RF功率以产生等离子体，等离子体中的高能离子侵蚀SOG层或光抗蚀剂材料并与之反应，以平整SOG层或光抗蚀剂层的表面，其中，控制反应室气压，使得对SOG层或光抗蚀剂层中央的刻蚀速率大于对晶片边缘位置的刻蚀速率，以获得SOG层或光抗蚀剂层的凹形刻蚀剖面形状。本发明可用于在集成电路中提供近全局平坦化的隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | sog 光抗蚀剂层 反应 离子 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种SOG层的反应离子刻蚀方法，其中将包含SOG层的晶片放置在反应室中，向反应室中流入刻蚀气体，并且向晶片施加RF功率以产生等离子体，等离子体中的高能离子侵蚀SOG材料并与之反应，以平整SOG层的表面，其中，控制反应室气压，使得对SOG层中央的刻蚀速率大于对晶片边缘位置的刻蚀速率，以获得SOG层的凹形刻蚀剖面形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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