[发明专利]一种水氧敏感型稀土卤化物晶体的切割方法无效
| 申请号： | 201010601265.9 | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102139517A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 张志城;陈伟;吴少凡;郑熠 | 申请（专利权）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种水氧敏感型稀土卤化物晶体的切割方法。本发明采用线切割的方法，晶体表面采用疏水性保护油脂或聚酰亚胺保护，将氧化铝、碳化硅、氧化铈或其混合物与保护性切割油按一定比例混合制成切割泥浆，利用线切割机实现水氧敏感型稀土卤化物晶体的切割。本发明设计了晶体表面保护层和切割过程中隔水隔氧保护性油的共同防护，采用装有镀或未镀金刚石的不锈钢切割线的线切割机，实现了水氧敏感型晶体的连续切割。本发明切割的晶体，厚度均匀，表面没有潮解的问题，保证了晶体后续的加工与利用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 敏感 稀土 卤化物 晶体 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种水氧敏感型稀土卤化物晶体的切割方法，通过在晶体表面均匀涂抹防水保护层后进行线切割加工，线切割加工过程中需不断填充入切割泥浆。其特征在于：所述防水保护层为疏水性保护油脂或者聚酰亚胺；所述切割泥浆由切割磨料与保护性切割油混合而成。
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