[发明专利]半导体晶片的清洁和微蚀刻的方法有效
| 申请号： | 201010602674.0 | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102157355A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | R·K·巴尔;R·钱 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B28D5/00;C11D7/26;C11D7/32;C11D7/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法同时从半导体晶片上清洁无机和有机污染物且微刻蚀该半导体晶片。在该半导体晶片从锭切割或切片后，其被在切割工艺中使用的切割液和来自锯的金属和金属氧化物污染。用包括碱性混合物和中等烷氧基化物的水成碱性清洁和微刻蚀溶液同时清洁和微刻蚀该半导体晶片。提供了一种方法，所述方法包括：a)提供半导体锭；b)切割该半导体锭以形成一片或更多片的包括无机污染物和有机污染物的半导体晶片；以及c)施加足量的包括一种或更多种的氢氧化季铵、一种或更多种的碱金属氢氧化物和一种或更多种的中等烷氧基化物的水性碱性溶液以去除该污染物和微刻蚀该半导体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 清洁 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，所述方法包括：a)提供半导体锭；b)切割该半导体锭以形成一片或更多片的包括无机污染物和有机污染物的半导体晶片；以及c)施加足量的包括一种或更多种的氢氧化季铵、一种或更多种的碱金属氢氧化物和一种或更多种的中等烷氧基化物的水性碱性溶液以去除该污染物和微刻蚀该半导体晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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