[发明专利]主动元件及其制造方法有效
申请号: | 201010602771.X | 申请日: | 2010-12-21 |
公开(公告)号: | CN102468339A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 陈颖德 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/40;H01L21/77 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种主动元件及其制造方法。该主动元件的制造方法包括在一基板上形成一底电极;形成一第一绝缘层以覆盖底电极;在底电极上方的第一绝缘层上形成一通道层;在通道层上形成一第二绝缘层,其中第二绝缘层暴露出一部分的通道层;在通道层上方形成一导电图案,导电图案包括一第一电极、一顶电极以及一第二电极,其中第一电极与第二电极与暴露出的通道层电性连接。由于本发明的主动元件具有底电极以及顶电极,因此可使底电极与通道层之间以及在顶电极与通道层之间形成两道电子通道。因而,本发明的主动元件相较于传统主动元件具有高电流以及低漏电的功效。 | ||
搜索关键词: | 主动 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种主动元件的制造方法,其特征在于,包括:在一基板上形成一第一底电极以及一第二底电极;形成一第一绝缘层,覆盖该第一底电极与该第二底电极;在该第一底电极上方的该第一绝缘层上形成一第一通道层且于该第二底电极上方的该第一绝缘层上形成一第二通道层;在该第一通道层及该第二通道层上形成一第二绝缘层,其中该第二绝缘层暴露出一部分的该第一通道层以及一部分的该第二通道层;在该第一通道层上方形成一第一导电图案,该第一导电图案包括一第一电极、一第一顶电极以及一第二电极,其中该第一电极及该第二电极与暴露出的该第一通道层电性连接;以及在该第二通道层上方形成一第二导电图案,该第二导电图案包括一第三电极、一第二顶电极以及一第四电极,其中该第三电极与该第四电极与暴露出的该第二通道层电性连接,且该第一电极与该第四电极电性连接。
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