[发明专利]光伏电池的制造方法无效
申请号: | 201010602785.1 | 申请日: | 2010-12-21 |
公开(公告)号: | CN102347395A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 涂志强;陈俊郎 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/20;G03F7/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开光伏电池的制造方法,包括提供光伏电池基板,以及织构化光伏电池基板的表面。上述织构方法采用纳米压印微影工艺以露出光伏电池基板的部分表面。接着蚀刻光伏电池基板露出的部分表面。本发明的实施例可改善光伏元件表面的织构化表面,并进一步增加光伏元件的光转换率。 | ||
搜索关键词: | 电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光伏电池的制造方法,包括:提供一光伏电池基板;进行一纳米压印微影工艺,以露出该光伏电池基板的部分表面,以及进行一蚀刻工艺于该光伏电池基板露出的部分表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的