[发明专利]三氯氢硅合成装置有效

专利信息
申请号: 201010602981.9 申请日: 2010-12-23
公开(公告)号: CN102009980A 公开(公告)日: 2011-04-13
发明(设计)人: 郎丰平;邱顺恩;黄少辉;黄小明;李明生 申请(专利权)人: 江西嘉柏新材料有限公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 北京元中知识产权代理有限责任公司 11223 代理人: 王明霞
地址: 333311 江西省景*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种三氯氢硅合成装置,包括合成炉筒体(3),合成炉筒体(3)外部有加热部件,其特征是:加热部件包括加热花板(8)和电阻丝(7),加热花板(8)为圆环片状,加热花板(8)设置在合成炉筒体(3)的外表面,加热花板(8)的环形表面上轴向密布有通孔(15),通孔(15)形成与加热花板内圆周同心的三圈同心圆通孔带,通孔(15)上固定有中空绝缘磁筒(9),电阻丝(7)在每个绝缘瓷筒(9)中心穿过。该合成装置升温迅速、控温准确、节约能源、便于操作,能显著提高三氯氢硅生产效率。
搜索关键词: 三氯氢硅 合成 装置
【主权项】:
一种三氯氢硅合成装置,包括合成炉筒体(3),合成炉筒体(3)外部有加热部件,其特征是:加热部件包括加热花板(8)和电阻丝(7),加热花板(8)为圆环片状,加热花板(8)设置在合成炉筒体(3)的外表面,加热花板(8)的环形表面上轴向密布有通孔(15),通孔(15)形成与加热花板内圆周同心的三圈同心圆通孔带,通孔(15)上固定有中空绝缘磁筒(9),电阻丝(7)在每个绝缘瓷筒(9)中心穿过。
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