[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010603278.X | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102569388A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 卞铮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/768;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：基底；位于所述基底表面内的有源区；场限环，位于所述有源区外；隔离沟槽，位于所述场限环之间，相邻的隔离沟槽中，至少两道所述隔离沟槽通过连接通道电性相连。本发明实施例省略了形成场限环的光刻步骤，降低了生产成本；并且通过将相邻的隔离沟槽中至少每两道隔离沟槽相连，将现有技术中单个场限环耗尽区的宽度由一个隔离沟槽的宽度增加为互连的隔离沟槽宽度与其间的场限环的宽度的总和，从而增加了场限环的分压效果，进一步提高了芯片的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：基底；位于所述基底表面内的有源区；场限环，位于所述有源区外；隔离沟槽，位于所述场限环之间，相邻的隔离沟槽中，至少两道所述隔离沟槽通过连接通道电性相连。
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