[发明专利]用于PVD工艺的反应腔室和PVD系统有效
| 申请号： | 201010603748.2 | 申请日： | 2010-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102534524A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陈鹏;张良;丁培军 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张天舒;陈源 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于PVD工艺的反应腔室及PVD系统，其中，用于PVD工艺的反应腔室包括反应腔室本体、下电极和靶材，所述靶材设置于所述反应腔室本体的顶部，所述下电极设置于所述反应腔室本体内的底部，其中还包括下电极射频电源组，所述下电极射频电源组中包括至少两个射频电源和至少两个匹配器，且所述至少两个射频电源与至少两个匹配器一一对应，所述下电极射频电源组用于向所述下电极输出射频功率。本发明通过下电极射频电源组中各种频率的射频电源向反应腔室内输出不同频的射频功率，不仅增大了等离子体的密度，而且还使反应腔室内的等离子体的分布更加均匀，有利于提高等离子体加工晶圆的均匀性，从而满足PVD工艺处理的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 pvd 工艺 反应 系统 | ||
【主权项】：
一种用于PVD工艺的反应腔室，包括反应腔室本体、下电极和靶材，所述靶材设置于所述反应腔室本体的顶部，所述下电极设置于所述反应腔室本体内的底部，其特征在于，还包括下电极射频电源组，所述下电极射频电源组中包括至少两个射频电源和至少两个匹配器，且所述至少两个射频电源与至少两个匹配器一一对应，所述下电极射频电源组用于向所述下电极输出射频功率。
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