[发明专利]一种基于ARM控制器的Nand FLASH智能检测方法

摘要

一种基于ARM控制器的Nand FLASH智能检测方法，包括：1)将主控ARM的GPIO分组，分别对应闪存芯片的数据总线、地址总线和控制总线，并进行配置；2)用主控的GPIO模拟Nand FLASH的读写时序，由ARM控制器读出闪存芯片的芯片ID及坏块信息；3)ARM控制器整理出一个数据列表；坏片判断标准为芯片中坏块的个数；4)用检测出的坏块个数与数据列表中相对应的值比较，判定是否为坏片等步骤。本发明具有硬件电路简单稳定，外围电路少，指令运行快、一次可检测多片，且不需要外加驱动电路、软件代码少，执行效率高以及兼容的芯片种类多，并且新的芯片出来之后只需要改动很小的代码就能兼容的优点。

主权项

一种基于ARM控制器的Nand FLASH智能检测方法，其特征在于，该方法包括：1)首先，将主控ARM的GPIO分组，分别对应闪存芯片的数据总线、地址总线和控制总线，并进行配置；2)用主控的GPIO模拟Nand FLASH的读写时序，由ARM控制器读出闪存芯片的芯片ID及坏块信息；3)ARM控制器整理出一个数据列表，用以存储各个闪存芯片的坏片判断标准；所述坏片判断标准为芯片中坏块的个数；4)用检测出的坏块个数与数据列表中相对应的值比较，判定是否为坏片；5)由于ARM接口电平兼容LVTTL及LVCOMS接口标准，电气特性完全兼容NandFLASH，在完成功能检测的同时，检测Nand FLASH的电气特性。