[发明专利]晶体管元件及其制造方法以及发光元件和显示器无效
| 申请号： | 201010603931.2 | 申请日： | 2007-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102130299A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 横山正明;中山健一 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人大阪大学;住友化学株式会社;大日本印刷株式会社;株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40;H01L51/50;H01L27/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郭煜;高旭轶 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在发射极-集电极之间可以以低电压进行大电流调制的晶体管元件。还提供上述晶体管元件的制造方法、具有该晶体管元件的发光元件和显示器。晶体管元件具有发射极3和集电极2。发射极3和集电极2之间设有半导体层5(5A、5B)和片状的基极4。半导体层5设于发射极3和基极4之间、以及集电极2和基极4之间，分别构成第2半导体层5B和第1半导体层5A，进一步优选基极的厚度为80nm以下。至少发射极和基极之间、或者集电极和基极之间设置有暗电流抑制层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 元件 及其 制造 方法 以及 发光 显示器 | ||
【主权项】：
晶体管元件，其特征在于：该晶体管元件具备发射极、集电极，在发射极与集电极之间依次设有有机半导体层和厚度为40nm以下的基极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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