[发明专利]一种可阵列式用的全数字CMOS工艺实现的栅压自举开关有效
| 申请号： | 201010604307.4 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102006041A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 任俊彦;王明硕 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种可阵列式用的全数字CMOS工艺实现的栅压自举T/H开关。该T/H开关包括栅压自举环路和NMOS开关管。本发明中实现的可阵列式用的全数字CMOS工艺T/H开关摒弃传统的采用电容实现的栅压自举环路，采用反向连接的PMOS管来实现，从而大大减小的栅压自举开关的可实现芯片面积，更易于开关的集成和阵列应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 数字 cmos 工艺 实现 开关 | ||
【主权项】：
一种栅压自举开关，其特征在于该电路包括栅压自举开关（39）和保持电容（38）；其中栅压自举开关（39）包括栅压自举PMOS管MP7（29）、自举环路开关MP4（28）、MP5（31）和MN9（30）、MP5栅压控制端电压驱动电路（32）、开关管栅压泄放回路（33）、辅助开关管MN12（34）、NMOS开关管MN13（35）、模拟信号输入端（36）和离散信号输出端（37），其中栅压自举开关（39）中的自举电容采用PMOS管MP7实现，即将PMOS管MP7的源端、漏端和衬底连接到一起作为电容的上极板和栅压自举环路开关的MP4的漏端连到一起，而PMOS管MP7的栅端和栅压自举环路开关MN9的漏端连到一起作为电容的下极板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010604307.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
