[发明专利]双室单联真空循环脱气炉及太阳能级多晶硅的制备无效
| 申请号： | 201010604679.7 | 申请日： | 2010-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102153087A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 史珺;孙文彬 | 申请（专利权）人： | 上海普罗新能源有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201300 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双室单联真空循环脱气炉及太阳能级多晶硅的制备，该双室单联真空循环脱气炉包括：上下设置的上真空室和下真空室，中间通过连接管连接；其制备方法包括：1)将冶金硅料放入下真空室，加热形成硅液，同时对上真空室加热；2)下真空室的硅液通过连接管连接到上真空室；3)对上下真空室分别进行抽真空；同时，对连接管中通入气体；4)通过控制上下真空室之间的压力差和对连接管中通入气体，使硅液在上下真空室间循环，得到太阳能级多晶硅原料。本发明能生产出成份均匀、硼磷含量较低的太阳能级多晶硅原料，并能量产，而且该太阳能级多晶硅原料能直接进行铸锭或拉单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 双室单联 真空 循环 脱气 太阳 能级 多晶 制备 | ||
【主权项】：
一种双室单联真空循环脱气炉，其特征在于：包括：上下设置的上真空室和下真空室，中间通过连接管连接。
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