[发明专利]研磨垫清洗方法有效
申请号: | 201010604743.1 | 申请日: | 2010-12-23 |
公开(公告)号: | CN102554783A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 蒋莉;黎铭琦 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | B24B53/017 | 分类号: | B24B53/017 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种研磨垫清洗方法,包括:提供待化学机械研磨的部件,所述待化学机械研磨部件包括基底以及形成于基底上的介质层,所述介质层中形成有开口,GST材料填满所述开口并覆盖所述介质层;对所述GST材料进行化学机械研磨;移走化学机械研磨后的部件,并用去离子水冲洗研磨垫,去除部分化学机械研磨副产品;采用碱性或者酸性溶液清洗研磨垫,溶解不溶于去离子水的化学机械研磨副产品,形成新溶液;再次采用去离子水冲洗研磨垫,去除残留在研磨垫表面的新溶液;旋转研磨盘,去除残留在研磨垫表面的去离子水。本发明所提供的研磨垫清洗方法可以避免有残留物粘附在后续化学机械研磨的对象表面以及损伤后续化学机械研磨的对象。 | ||
搜索关键词: | 研磨 清洗 方法 | ||
【主权项】:
一种研磨垫清洗方法,其特征在于,包括:采用去离子水冲洗研磨垫;采用去离子水冲洗研磨垫后,采用酸性或碱性溶液清洗所述研磨垫;采用酸性或者碱性溶液清洗所述研磨垫后,采用去离子水冲洗所述研磨垫;去除残留在研磨垫表面的去离子水。
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