[发明专利]硅化物保护层去胶方法无效
申请号: | 201010605270.7 | 申请日: | 2010-12-27 |
公开(公告)号: | CN102540775A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 石磊;朱旋;杨兆宇;肖玉洁;李健 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42;H01L21/3105 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种硅化物保护层去胶方法,其特征在于,包括以下步骤:第一步、进行稀释的氢氟酸酸洗;第二步、进行硫酸和氨水双氧水。与现有技术相比,本发明的有益效果是:彻底的去处光阻,没有光阻残留,保证晶圆质量。 | ||
搜索关键词: | 硅化物 保护层 方法 | ||
【主权项】:
一种硅化物保护层去胶方法,其特征在于,包括以下步骤:第一步、进行稀释的氢氟酸酸洗;第二步、进行硫酸和氨水双氧水。
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